[发明专利]半导体器件的缺陷检测方法和装置有效
| 申请号： | 201310398712.9 | 申请日： | 2013-09-04 |
| 公开（公告）号： | CN104425302B | 公开（公告）日： | 2017-09-22 |
| 发明（设计）人： | 张静 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/66 | 分类号： | H01L21/66;H01L21/67 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司11227 | 代理人： | 骆苏华 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种半导体器件的缺陷检测方法及装置，其中，半导体器件的缺陷检测方法包括提供待检测晶圆；获取所述待检测晶圆上的缺陷位置；根据所述缺陷位置生成若干关心区域，每一关心区域内至少具有一个缺陷；获取关心区域内的缺陷位置数据；根据所述关心区域内的缺陷位置数据对所述关心区域的缺陷进行检测，获取关心区域内的缺陷参数。所述半导体器件的缺陷检测方法效率高、精确度高，检测结果准确稳定。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 缺陷 检测 方法 装置 | ||
【主权项】：
一种半导体器件的缺陷检测方法，其特征在于，包括：提供待检测晶圆；采用热点规范和设计图形标准规范对所述待检测晶圆进行检测，标出与热点规范或设计图形标规范不符的位置，以获取所述待检测晶圆上的缺陷位置；根据所述缺陷位置生成若干关心区域，每一关心区域内至少具有一个缺陷；获取关心区域内的缺陷位置数据；根据所述关心区域内的缺陷位置数据对所述关心区域的缺陷进行检测，获取关心区域内的缺陷参数。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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