[发明专利]管芯底部填充结构和方法有效
| 申请号： | 201310384698.7 | 申请日： | 2013-08-29 |
| 公开（公告）号： | CN103681455B | 公开（公告）日： | 2018-10-12 |
| 发明（设计）人： | K·P·瓦赫莱尔 | 申请（专利权）人： | 德克萨斯仪器股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/762 | 分类号： | H01L21/762;H01L21/60 |
| 代理公司： | 北京纪凯知识产权代理有限公司 11245 | 代理人： | 赵蓉民 |
| 地址： | 美国德*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本申请涉及管芯底部填充结构和方法。一种将具有从其一个面112突出的多个铜柱（CuP）114的IC晶片100附接到在其一个面132上具有多个接触焊盘134的衬底130的方法包括：将其中具有大量填料颗粒126的膜层124施加到晶片100的所述一个面112；将其中基本不具有填料颗粒的甲阶树脂122施加到衬底130的所述一个面132；以及将所述膜层124与所述甲阶树脂122接合。 | ||
| 搜索关键词： | 管芯 底部 填充 结构 方法 | ||
【主权项】：
1.一种将具有从其一个面突出的多个铜柱即CuP的IC管芯附接到在其一个面上具有多个接触焊盘的衬底的方法，所述方法包括：将其中具有大量填料颗粒的膜层施加到所述管芯的所述一个面；将其中基本不具有填料颗粒的甲阶树脂施加到所述衬底的所述一个面，以及将所述膜层与所述甲阶树脂接合，所附接的IC管芯和衬底不具有位于其周边上的任何所述甲阶树脂。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
