[发明专利]半导体结构的形成方法有效
| 申请号： | 201310376914.3 | 申请日： | 2013-08-26 |
| 公开（公告）号： | CN103400762A | 公开（公告）日： | 2013-11-20 |
| 发明（设计）人： | 吴紫阳;文秉述;郑又锡 | 申请（专利权）人： | 中微半导体设备（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/311 | 分类号： | H01L21/311;H01L21/768 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 骆苏华 |
| 地址： | 201201 上海市浦东新*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种半导体结构的形成方法，包括：提供基底，所述基底表面具有待刻蚀层；在所述待刻蚀层表面形成掩膜层，所述掩膜层暴露出部分待刻蚀层表面；以所述掩膜层为掩膜，对所述待刻蚀层进行等离子体刻蚀，在所述待刻蚀层内形成开口，所述等离子体刻蚀的偏置射频功率源输出的射频信号为脉冲信号，所述脉冲信号的占空比随刻蚀深度的增加而减小，当偏置射频功率源打开时，刻蚀部分待刻蚀层并形成刻蚀口，且所述刻蚀口内具有刻蚀副产物，当偏置射频功率源关闭时，所述刻蚀副产物扩散出所述刻蚀口。采用所述等离子体刻蚀工艺所形成的开口尺寸精确均匀，且形成所述开口的刻蚀速率高。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 形成 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括：提供基底，所述基底表面具有待刻蚀层；在所述待刻蚀层表面形成掩膜层，所述掩膜层材料为无定型碳，所述掩膜层暴露出部分待刻蚀层表面；以所述掩膜层为掩膜，对所述待刻蚀层进行等离子体刻蚀，在所述待刻蚀层内形成开口，所述开口的深宽比大于10:1，所述等离子体刻蚀的偏置射频功率源输出的射频信号为脉冲信号，所述脉冲信号的占空比随刻蚀深度的增加而减小，当偏置射频功率源打开时，刻蚀部分待刻蚀层并形成刻蚀口，且所述刻蚀口内具有刻蚀副产物，当偏置射频功率源关闭时，所述刻蚀副产物扩散出所述刻蚀口。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
