[发明专利]一种具有复合金属栅的氮化镓基高电子迁移率晶体管有效
| 申请号： | 201310364505.1 | 申请日： | 2013-08-21 |
| 公开（公告）号： | CN103474455A | 公开（公告）日： | 2013-12-25 |
| 发明（设计）人： | 杜江锋;严慧;刘斌;尹成功;黄思霓;罗杰;白智元;陈南庭;于奇 | 申请（专利权）人： | 电子科技大学 |
| 主分类号： | H01L29/10 | 分类号： | H01L29/10;H01L29/778 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 610000 四川省成*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种具有复合金属栅的氮化镓基高电子迁移率晶体管，包括衬底、氮化镓缓冲层、氮化铝插入层、铝铟镓氮势垒层、以及铝铟镓氮势垒层上的源极、漏极和栅极；其中源极和漏极与铝铟镓氮势垒层形成欧姆接触，栅极与铝铟镓氮势垒层形成肖特基接触，所述铝铟镓氮势垒层上的栅极由两种以上不同功函数的金属连接组成。本发明利用不同功函数的栅极金属之间形成的阶梯型势垒屏蔽漏极电势对器件沟道的影响，抑制漏致势垒降低(DIBL)效应，改善深亚微米级氮化镓基高电子迁移率晶体管的SCEs，从而提高电流增益截止频率fT。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 具有 复合 金属 氮化 镓基高 电子 迁移率 晶体管 | ||
【主权项】：
一种具有复合金属栅的氮化镓基高电子迁移率晶体管，包括衬底(101)、氮化镓缓冲层(102)、氮化铝插入层(103)、铝铟镓氮势垒层(104)、以及铝铟镓氮势垒层(104)上的源极(105)、漏极(106)和栅极(107)；其中源极(105)和漏极(106)与铝铟镓氮势垒层(104)形成欧姆接触，栅极(107)与铝铟镓氮势垒层(104)形成肖特基接触，其特征在于：所述铝铟镓氮势垒层(104)上的栅极(107)由两种以上不同功函数的金属连接组成。
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