[发明专利]一种部分SOI超结高压功率半导体器件

摘要

本发明涉及半导体技术，具体的说是涉及一种部分SOI超结高压功率半导体器件。本发明所述的一种部分SOI超结高压功率半导体器件，其特征在于，还包括多个N+岛和P型电场屏蔽层，所述多个N+岛均匀嵌入设置在P型衬底中，所述P型电场屏蔽层设置在P型衬底中，并且上表面与P型体区和靠近源端的N型缓冲区的下表面连接、下表面与埋氧层的上表面连接。本发明的有益效果为，通过改变电场分布，提高漂移区掺杂浓度，进而提高器件耐压和降低比导通电阻，减小器件面积，降低成本。本发明尤其适用于部分SOI超结高压功率半导体器件。

主权项

一种部分SOI超结高压功率半导体器件，包括P型衬底（1）、埋氧层（3）、N型缓冲区（5）、P型条（6）、N型条（7）、P型体区（8）、P型重掺杂体接触区（9）、N型重掺杂源区（10）、金属源电极（11）、多晶硅栅电极（12）、栅氧化层（13）、金属漏电极（14）和N型重掺杂漏区(15)，所述埋氧层（3）设置在P型衬底（1）中，所述P型体区（8）和N型缓冲区（5）沿横向方向连接并覆盖设置在P型衬底（1）的顶部，所述P型条（6）和N型条（7）沿纵向方向平行连接形成超结结构漂移区，并覆盖设置在N型缓冲区（5）的顶部，同时一端与P型体区（8）沿横向方向连接，所述N型重掺杂漏区(15)沿纵向方向贯穿并嵌入设置在超结结构漂移区另一端的顶部中，所述金属漏电极（14）设置在N型重掺杂漏区(15)的上表面，所述P型体区（8）中设置有相互独立的P型重掺杂体接触区（9）和N型重掺杂源区（10），所述P型重掺杂体接触区（9）和N型重掺杂源区（10）的上表面与设置在P型体区（8）上表面的金属源电极（11）连接，所述栅氧化层（13）设置在N型重掺杂源区（10）和超结结构漂移区之间的P型体区（8）的上表面，所述多晶硅栅电极（12）设置在栅氧化层（13）的上表面，其特征在于，还包括多个N+岛（2）和P型电场屏蔽层（4），所述多个N+岛（2）均匀嵌入设置在P型衬底（1）中，所述P型电场屏蔽层（4）设置在P型衬底（1）中，并且上表面与P型体区（8）和靠近源端的N型缓冲区（5）的下表面连接、下表面与埋氧层（3）的上表面连接。