[发明专利]于金属氧化物半导体场效应晶体管中形成遮蔽栅极的方法有效
| 申请号： | 201310337332.4 | 申请日： | 2013-08-05 |
| 公开（公告）号： | CN104347376B | 公开（公告）日： | 2017-04-26 |
| 发明（设计）人： | 赖世麒 | 申请（专利权）人： | 台湾茂矽电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/28 | 分类号： | H01L21/28 |
| 代理公司： | 隆天知识产权代理有限公司72003 | 代理人： | 于宝庆,刘春生 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 本公开涉及一种于金属氧化物半导体场效应晶体管中形成遮蔽栅极的方法，包括步骤提供具有至少一沟渠的半导体基板；于该半导体基板的该沟渠内形成底层栅极氧化物区及遮蔽栅极多晶硅区；以高温等离子体沉积、多晶硅回蚀及氧化物回蚀于该遮蔽栅极多晶硅区上形成多晶硅间氧化物区；以及于该多晶硅间氧化物区上形成栅极氧化物区及栅极多晶硅区。通过使用回蚀工艺取代传统化学机械抛光工艺，可使制造遮蔽栅极结构的制造成本降低，进而达到降低场效应晶体管总成本的功效。同时，遮蔽栅极结构可有效降低场效应晶体管的栅极电荷，以达到提升场效应晶体管整体表现的功效。 | ||
| 搜索关键词： | 金属 氧化物 半导体 场效应 晶体管 形成 遮蔽 栅极 方法 | ||
【主权项】：
一种于金属氧化物半导体场效应晶体管中形成遮蔽栅极的方法，包括步骤：(a)提供具有至少一沟渠的半导体基板；(b)于该半导体基板的该沟渠内形成底层栅极氧化物区及遮蔽栅极多晶硅区；(c)以高温等离子体沉积、多晶硅回蚀及氧化物回蚀于该遮蔽栅极多晶硅区上形成多晶硅间氧化物区，其中该步骤(c)更包括步骤：(c1)进行高温等离子体的氧化物的沉积；(c2)进行多晶硅掩模的沉积；(c3)对该多晶硅掩模进行回蚀；(c4)对该氧化物进行回蚀；以及(c5)移除该多晶硅掩模及部分的该氧化物，以形成该多晶硅间氧化物区；以及(d)于该多晶硅间氧化物区上形成栅极氧化物区及栅极多晶硅区。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
