[发明专利]沟槽型MOSFET栅极引出端结构及制造方法在审
| 申请号： | 201310330385.3 | 申请日： | 2013-07-31 |
| 公开（公告）号： | CN104347687A | 公开（公告）日： | 2015-02-11 |
| 发明（设计）人： | 张楠;邵向荣;缪进征 | 申请（专利权）人： | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/423 | 分类号： | H01L29/423;H01L21/28 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 丁纪铁 |
| 地址： | 201203 上海市浦东*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种沟槽型MOSFET栅极引出端的结构，其栅极引出端接触孔避开横纵沟槽垂直交叉的区域，避免了由于沟槽垂直交叉区域多晶硅填充形成空洞或缝隙而导致接触孔形成穿通的问题，提高了产品的良率及可靠性。本发明还公开了所述沟槽型MOSFET栅极引出端的制造方法。 | ||
| 搜索关键词： | 沟槽 mosfet 栅极 引出 结构 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种沟槽型MOSFET栅极引出端结构，包含有多条第一沟槽和第二沟槽，多条第一沟槽均与第二沟槽形成垂直交叉连接，其特征在于：将第一沟槽引出的多个接触孔，均位于避开第一、第二沟槽的垂直交叉区域的第二沟槽中。
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