[发明专利]用等离子体增强化学气相沉积在长管内表面沉积薄膜方法有效
申请号: | 201310329125.4 | 申请日: | 2013-07-31 |
公开(公告)号: | CN103388129A | 公开(公告)日: | 2013-11-13 |
发明(设计)人: | 赵彦辉;于宝海;肖金泉 | 申请(专利权)人: | 中国科学院金属研究所 |
主分类号: | C23C16/04 | 分类号: | C23C16/04;C23C16/50 |
代理公司: | 沈阳优普达知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 21234 | 代理人: | 张志伟 |
地址: | 110016 辽*** | 国省代码: | 辽宁;21 |
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摘要: | 本发明属于材料表面改性领域,涉及一种用等离子体增强化学气相沉积在长管内表面沉积薄膜的方法,解决现有PECVD方法在管内轴向等离子体放电的不均匀性,而且直接造成管内表面轴向薄膜沉积均匀性差等问题。在待处理的细长金属管置于管型真空室内,在金属管状工件的中心轴向放置一钨丝电极,向金属管内通入工作气体,在钨丝电极与真空室壁之间施加直流脉冲或射频信号,激励放电以产生等离子体。在真空室外缠绕漆包线构成电磁线圈,电磁线圈接直流稳压电源以产生电磁场。利用磁场对等离子体束流进行约束和控制,从而实现等离子体在管内壁均匀沉积薄膜的目的,适用于作为服役表面的管状工件的内壁表面镀膜。 | ||
搜索关键词: | 等离子体 增强 化学 沉积 长管内 表面 薄膜 方法 | ||
【主权项】:
一种用等离子体增强化学气相沉积在长管内表面沉积薄膜方法,其特征在于,将待处理的金属管状工件置于管型真空室内,在金属管状工件的中心轴向设置一钨丝电极,钨丝电极两端通过真空室密封法兰引出,在钨丝电极与真空室壁之间连接直流脉冲电源或射频电源,不仅激励放电以产生等离子体,还在管内部建立偏压电场,对等离子体进行加速以提高膜基结合力;在真空室外缠绕漆包线构成电磁线圈,电磁线圈连接直流稳压电源以产生电磁场;利用磁场和电场对等离子体的约束和控制,从而实现等离子体在金属管状工件内壁沉积薄膜的目的。
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C23 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
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