[发明专利]一种等离子体去除光刻胶的方法有效
| 申请号： | 201310312175.1 | 申请日： | 2013-07-23 |
| 公开（公告）号： | CN104345581B | 公开（公告）日： | 2018-07-31 |
| 发明（设计）人： | 王兆祥;倪图强 | 申请（专利权）人： | 中微半导体设备（上海）有限公司 |
| 主分类号： | G03F7/42 | 分类号： | G03F7/42 |
| 代理公司： | 上海智信专利代理有限公司 31002 | 代理人： | 王洁 |
| 地址： | 201201 上海市浦东新*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种等离子体去除光刻胶的方法，在反应腔上施加低频率的射频功率源取代传统的高频率的射频功率源，使得反应腔内含氧的反应气体在低射频功率的作用下激发等离子体放电，产生高活性离子，实现对光刻胶的刻蚀去除反应。通过采用低频的射频功率源，抑制了氧自由基的生成，避免了氧自由基的分布不均导致的基片不同区域刻蚀反应的速率不同的问题。保证了在高活性离子和氧化性分子的作用下均匀快速的完成光刻胶的去除反应。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 等离子体 去除 光刻 方法 | ||
【主权项】：
1.一种等离子体去除光刻胶的方法，所述方法在一反应腔内进行，所述光刻胶位于基片的表面，所述光刻胶下方为目标刻蚀层，其特征在于，所述方法包括下列步骤：向所述反应腔内提供含氧的反应气体，对所述反应腔施加一小于等于5兆赫兹的低射频功率，所述含氧的反应气体在低射频功率的作用下激发等离子体放电，产生高活性离子，所述高活性离子对光刻胶进行刻蚀去除反应，所述目标刻蚀层为低介电常数的绝缘材料，所述绝缘材料的介电常数小于3F/m，所述反应腔内气压为200MT‑2T。
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