[发明专利]激光脉冲沉积技术制备氮化镓纳米线的方法无效
| 申请号： | 201310254474.4 | 申请日： | 2013-06-25 |
| 公开（公告）号： | CN103484823A | 公开（公告）日： | 2014-01-01 |
| 发明（设计）人： | 王如志;王宇清;严辉;王波;张铭;宋雪梅;朱满康;侯育冬;刘晶冰;汪浩 | 申请（专利权）人： | 北京工业大学 |
| 主分类号： | C23C14/34 | 分类号： | C23C14/34;C23C14/06 |
| 代理公司： | 北京思海天达知识产权代理有限公司 11203 | 代理人： | 刘萍 |
| 地址： | 100124 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 激光脉冲沉积技术制备氮化镓纳米线的方法，属于无机化合物半导体材料的制取与生成领域。本发明步骤：GaN粉体通过掺胶、研磨，通过80目网筛后压片，在560℃煅烧2小时，烧制成粉靶；将清洗烘干后的硅片在离子溅射仪沉积5‐60s,得到表面有厚度约为5‐40nm金膜的衬底；采用以上制备的GaN粉靶和衬底，利用激光脉冲沉积法：反应压强2x10‐3Pa，衬底温度850℃，激光能量380mJ/Pulse，激光频率6Hz，沉积时间为10min‐60min。本发明无任何气体参与反应，在设备腔体中直接反应，生成实心、线形的氮化镓纳米线，生成的纳米线密度均匀，直径变化范围小，定向性好，大部分垂直衬底生长。 | ||
| 搜索关键词： | 激光 脉冲 沉积 技术 制备 氮化 纳米 方法 | ||
【主权项】：
激光脉冲沉积技术制备氮化镓纳米线的方法，其特征在于,包括以下步骤：（1）GaN粉体通过掺胶、研磨，通过80目网筛后压片，在560℃煅烧2小时，烧制成粉靶；（2）将清洗烘干后的硅片在离子溅射仪沉积5‑60s,得到表面有厚度约为5‑40nm金膜的衬底；（3）采用以上方法制备的GaN粉靶和衬底，利用激光脉冲沉积法：反应压强2x10‑3Pa，衬底温度850℃，激光能量380mJ/Pulse，激光频率6Hz，沉积时间为10min‑60min。
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