[发明专利]光半导体装置及其制造方法有效
申请号: | 201310252029.4 | 申请日: | 2013-06-24 |
公开(公告)号: | CN103515841A | 公开(公告)日: | 2014-01-15 |
发明(设计)人: | 高木和久 | 申请(专利权)人: | 三菱电机株式会社 |
主分类号: | H01S5/22 | 分类号: | H01S5/22;H01S5/026 |
代理公司: | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人: | 何欣亭;李浩 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 根据本发明,获得能够使半导体激光器部的振荡光的横模稳定化、并且防止频率特性的劣化的光半导体装置及其制造方法。在n-InP衬底(1)上集成有半导体激光器部(2)和光调制器部(3)。光调制器部(3)将从半导体激光器部(2)出射的光调制。半导体激光器部(2)具有垂直脊(4),光调制器部(3)具有倒台面脊(5)。这样由光调制器部(3)和半导体激光器部(2)来改变脊型结构,能够使半导体激光器部(2)的振荡光的横模稳定化,并且防止频率特性的劣化。 | ||
搜索关键词: | 半导体 装置 及其 制造 方法 | ||
【主权项】:
一种光半导体装置,其中包括:半导体衬底;半导体激光器部,该半导体激光器部设于所述半导体衬底上,具有垂直脊;以及光调制器部,该光调制器部设于所述半导体衬底上,具有倒台面脊,对从所述半导体激光器部出射的光进行调制。
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