[发明专利]一种半导体发光器件及其制造方法无效
| 申请号： | 201310229568.6 | 申请日： | 2013-06-09 |
| 公开（公告）号： | CN103311409A | 公开（公告）日： | 2013-09-18 |
| 发明（设计）人： | 陈诚;齐胜利;郝茂盛 | 申请（专利权）人： | 上海蓝光科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/48 | 分类号： | H01L33/48;H01L33/22 |
| 代理公司： | 上海光华专利事务所 31219 | 代理人： | 李仪萍 |
| 地址： | 201210 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供一种半导体发光器件及其制造方法，该方法至少包括以下步骤：提供一衬底；在所述衬底上生长外延层，所述外延层自下向上依次包括GaN缓冲层、非故意掺杂GaN层、N型氮化镓层、发光层及P型氮化镓层；在所述衬底和非故意掺杂GaN层之间形成呈带状分布的空气夹层及相应的粗化结构界面；继续后继芯片工艺处理；采用倒装工艺封装该器件。本发明有效的提升芯片的散热能力，又提升了出光效率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 半导体 发光 器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体发光器件的制造方法，其特征在于，该方法至少包括以下步骤： 1）提供一衬底； 2）在所述衬底上生长外延层，所述外延层自下向上依次包括GaN缓冲层、非故意掺杂氮化镓层、N型氮化镓层、发光层及P型氮化镓层； 3）利用先激光辐照，然后再溶液腐蚀的方法在所述辐照的区域将GaN缓冲层去除，形成呈带状分布的空气夹层；并利用N型氮化镓层的反应特性，使得非故意掺杂GaN层上表面获得粗化结构界面； 4）继续芯片制备工艺； 5）采用倒装工艺封装该器件。
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