[发明专利]具有嵌入式应变诱导图案的半导体装置及其形成方法有效
| 申请号： | 201310219256.7 | 申请日： | 2013-06-04 |
| 公开（公告）号： | CN103456770B | 公开（公告）日： | 2018-04-27 |
| 发明（设计）人： | 申东石;金明宣;南性真;朴判贵;郑会晟;李来寅 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/10;H01L29/78;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京铭硕知识产权代理有限公司11286 | 代理人： | 王兆赓,韩明花 |
| 地址： | 韩国京畿*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 提供了一种具有嵌入式应变诱导图案的半导体装置及其形成方法。在半导体装置中，第一有源区域具有第一∑形状，第二有源区域具有第二∑形状。当垂直于基底并且经过第一区域中的第一栅电极的侧表面的线被限定为第一垂直线时，当垂直于基底并且经过第二区域中的第二栅电极的侧表面的线被限定为第二垂直线时，当第一垂直线和第一沟槽之间的最短距离被限定为第一水平距离时，当第二垂直线和第二沟槽之间的最短距离被限定为第二水平距离时，第一水平距离和第二水平距离之间的差等于或小于1nm。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 嵌入式 应变 诱导 图案 半导体 装置 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体装置，包括：基底，具有第一区域和第二区域，第二区域的图案密度高于第一区域的图案密度，基底在延伸的水平方向上延伸；第一有源区域，限定在第一区域中；第一栅电极，位于第一有源区域上；第一沟槽，在第一有源区域中并且与第一栅电极偏移对齐；第一应变诱导图案，位于第一沟槽中；第二有源区域，限定在第二区域中；第二栅电极，位于第二有源区域上；第二沟槽，在第二有源区域中并且与第二栅电极偏移对齐；第二应变诱导图案，位于第二沟槽中，其中，第一有源区域具有与第一沟槽部分地形成边界的第一∑形状的构造，第二有源区域具有与第二沟槽部分地形成边界的第二∑形状的构造，其中，与基底的延伸的水平方向垂直并且横过第一栅电极的侧表面的垂直线被限定为第一垂直线，其中，与基底的延伸的水平方向垂直并且横过第二栅电极的侧表面的垂直线被限定为第二垂直线，其中，第一垂直线和第一沟槽之间的最短距离被限定为第一水平距离，其中，第二垂直线和第二沟槽之间的最短距离被限定为第二水平距离，其中，第一水平距离和第二水平距离之间的差等于或小于1nm。
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