[发明专利]半导体装置及其制备方法无效
| 申请号： | 201310219198.8 | 申请日： | 2013-06-04 |
| 公开（公告）号： | CN103456772A | 公开（公告）日： | 2013-12-18 |
| 发明（设计）人： | 邱钰珊;梁雯萍 | 申请（专利权）人： | 南亚科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/40 | 分类号： | H01L29/40;H01L29/72;H01L21/33;H01L21/28 |
| 代理公司： | 隆天国际知识产权代理有限公司 72003 | 代理人： | 张然;李昕巍 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种半导体装置及其制备方法，半导体装置包含一基板、一导电材料及一材料层。基板包含通孔。导电材料填充于该通孔内。材料层形成于该导电材料内，其中该导电材料的电阻值低于该材料层的电阻值。导电材料是以新的快速填充方法所填充，并且导电材料具有高品质及无缝或无隙。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体装置，包含：一基板，包含一通孔；一导电材料，填充于该通孔内；以及一材料层，形成于该导电材料内，其中该导电材料的电阻值低于该材料层的电阻值。
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