[发明专利]氧化物半导体溅射靶、用其制造的薄膜晶体管及其制造方法有效
| 申请号： | 201310213423.7 | 申请日： | 2013-05-31 |
| 公开（公告）号： | CN103451607A | 公开（公告）日： | 2013-12-18 |
| 发明（设计）人： | 河真珠;李承柱;吴珠惠;赵耀翰;朴柱玉;孙仁成;李炯录;韩镇宇 | 申请（专利权）人： | 三星康宁精密素材株式会社 |
| 主分类号： | C23C14/34 | 分类号： | C23C14/34;C23C14/08;H01L29/786 |
| 代理公司： | 北京德琦知识产权代理有限公司 11018 | 代理人： | 康泉;王珍仙 |
| 地址： | 韩国庆*** | 国省代码： | 韩国;KR |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 用于沉积具有高的电子迁移率和高的操作可靠性的薄膜的氧化物半导体溅射靶、使用该氧化物半导体溅射靶制造薄膜晶体管（TFT）的方法和使用该氧化物半导体溅射靶制造的TFT。该氧化物半导体溅射靶在TFT上沉积有源层的溅射工艺中使用。该氧化物半导体溅射靶由基于含有铟（In）、锡（Sn）、镓（Ga）和氧（O）的组合物的材料制成。该方法包括用上述氧化物半导体溅射靶沉积有源层的步骤。该薄膜晶体管可用在诸如液晶显示器（LCD）或有机发光显示器（OLED）的显示装置中。 | ||
| 搜索关键词： | 氧化物 半导体 溅射 制造 薄膜晶体管 及其 方法 | ||
【主权项】：
一种氧化物半导体溅射靶，在沉积薄膜晶体管的有源层的溅射工艺中使用，所述氧化物半导体溅射靶包含基于含有铟（In）、锡（Sn）、镓（Ga）和氧（O）的组合物的材料。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于三星康宁精密素材株式会社，未经三星康宁精密素材株式会社许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201310213423.7/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
