[发明专利]FinFET的鳍结构有效
| 申请号： | 201310105433.9 | 申请日： | 2013-03-28 |
| 公开（公告）号： | CN103915494B | 公开（公告）日： | 2017-04-12 |
| 发明（设计）人： | 黄俊程;蒋青宏;陈能国;孙诗平;万幸仁 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/06;H01L29/10;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京德恒律治知识产权代理有限公司11409 | 代理人： | 章社杲,孙征 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种设置在衬底上方的FinFET的新型鳍结构和形成鳍结构的方法。鳍结构包括台面、设置在台面上方的沟道以及设置在沟道和台面之间的凸形部件。台面具有第一半导体材料，而沟道具有不同于第一半导体材料的第二半导体材料。凸形部件为阶梯形、台阶形或梯形。凸形部件包括设置在沟道和台面之间的第一隔离部件以及设置在沟道和第一隔离部件之间的第二隔离部件。第一隔离部件是U形的，并且第二隔离部件是矩形的。第二隔离部件的一部分被沟道包围，并且第二隔离部件的另一部分被第一隔离部件包围。 | ||
| 搜索关键词： | finfet 新型 结构 | ||
【主权项】：
一种鳍结构，包括：台面，具有第一半导体材料；第一隔离部件，形成在所述台面中，并且在所述台面上方延伸，所述第一隔离部件具有的宽度与所述台面的宽度相同；沟道，设置在所述第一隔离部件上方，所述沟道具有不同于所述第一半导体材料的第二半导体材料；以及第二隔离部件，设置在所述第一隔离部件中，所述第二隔离部件具有的宽度小于所述第一隔离部件的宽度，所述第二隔离部件在所述第一隔离部件的上方延伸，其中，所述沟道在所述第二隔离部件的顶面上方从所述第二隔离部件的一侧延伸到所述第二隔离部件的另一侧。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于台湾积体电路制造股份有限公司，未经台湾积体电路制造股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201310105433.9/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
