[发明专利]EMPT-TI-IGBT器件的结构及其制备方法在审
| 申请号： | 201310085535.9 | 申请日： | 2013-03-18 |
| 公开（公告）号： | CN103839988A | 公开（公告）日： | 2014-06-04 |
| 发明（设计）人： | 朱阳军;张文亮;胡爱斌;赵佳;吴振兴 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所;上海联星电子有限公司;江苏中科君芯科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/739 | 分类号： | H01L29/739;H01L29/06;H01L21/331 |
| 代理公司： | 北京华沛德权律师事务所 11302 | 代理人： | 刘丽君 |
| 地址： | 100029 北京市*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种EMPT-TI-IGBT器件的结构，包括漂移区、栅极、栅氧、发射区、包围在发射区下部将发射区与漂移区隔开的基区、重掺杂区、位于漂移区下方的微穿通区、相间分布引出集电极的集电区和短路区、及位于基区与漂移区之间的载流子减速层，所述发射区和重掺杂区分别与发射极连接，所述发射区和载流子减速层分别与栅极连接，所述栅极通过栅氧与半导体区域绝缘。本发明提供的EMPT-TI-IGBT器件，有效增加了EMPT-TI-IGBT导通时漂移区的载流子浓度，从而减低了EMPT-TI-IGBT器件的导通压降。 | ||
| 搜索关键词： | empt ti igbt 器件 结构 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种EMPT‑TI‑IGBT器件的结构，其特征在于：包括漂移区、栅极、栅氧、发射区、包围在发射区下部将发射区与漂移区隔开的基区、重掺杂区、位于漂移区下方的微穿通区、相间分布引出集电极的集电区和短路区、及位于基区与漂移区之间的载流子减速层，所述发射区和重掺杂区分别与发射极连接，所述发射区和载流子减速层分别与栅极连接，所述栅极通过栅氧与半导体区域绝缘。
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