[发明专利]晶体管以及用于制造该晶体管的方法无效
| 申请号： | 201310084170.8 | 申请日： | 2013-03-15 |
| 公开（公告）号： | CN103579341A | 公开（公告）日： | 2014-02-12 |
| 发明（设计）人： | 西尾让司;河野洋志;铃木拓马;清水达雄;四户孝 | 申请（专利权）人： | 株式会社东芝 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L21/336 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人： | 陈松涛;夏青 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 根据实施例，一种晶体管，包括：结构体；绝缘膜；控制电极；第一电极；以及第二电极。所述结构体包括第一至第三半导体区，并且包括具有第一元素和第二元素的复合半导体。所述第一电极与所述第三半导体区电连续。所述第二电极与所述第一半导体区电连续。所述结构体具有设置在所述第二半导体区的下端上的第一区域以及除了所述第一区域之外的第二区域。所述第一区域是通过使得所述第二元素的气源的浓度与所述第一元素的气源的浓度的比率大于1.0形成的区域。所述第一区域中的所述第一导电类型的杂质浓度高于所述第二区域中的所述第一导电类型的杂质浓度。 | ||
| 搜索关键词： | 晶体管 以及 用于 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种晶体管，包括：结构体，包括第一导电类型的第一半导体区、设置在所述第一半导体区上的第二导电类型的第二半导体区、以及设置在所述第二半导体区上的所述第一导电类型的第三半导体区，所述结构体包括具有第一元素和第二元素的复合半导体；设置在所述第二半导体区上的绝缘膜；设置在所述绝缘膜上的控制电极；与所述第三半导体区电连续的第一电极；以及与所述第一半导体区电连续的第二电极，所述结构体具有设置在所述第二半导体区的下端上的第一区域以及除了所述第一区域之外的第二区域，所述第一区域是通过使得所述第二元素的气源的浓度与所述第一元素的气源的浓度的比率大于1.0形成的区域，并且所述第一区域中所述第一导电类型的杂质浓度高于所述第二区域中所述第一导电类型的杂质浓度。
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