[发明专利]用于将碳导入半导体结构的方法及由此形成的结构

摘要

实施例是一种包括通过衬底的表面扩散碳、通过衬底的表面注入碳以及在通过衬底表面扩散碳和注入碳之后对衬底进行退火的方法。衬底包括第一栅极、栅极间隔件、蚀刻停止层以及层间介电层。第一栅极位于半导体衬底上方。栅极间隔件沿着第一栅极的侧壁。蚀刻停止层位于栅极间隔件的表面上以及半导体衬底的表面上方。层间介电层位于蚀刻停止层的上方。衬底的表面包括层间介电层的表面。本发明还提供了用于将碳导入半导体结构的方法及由此形成的结构。

主权项

一种用于制造半导体结构的方法，包括：透过衬底的表面扩散碳，所述衬底包括：第一栅极，位于半导体衬底上方，栅极间隔件，沿着所述第一栅极的侧壁，蚀刻停止层，位于所述栅极间隔件的表面上以及所述半导体衬底的表面上方，以及层间介电层，位于所述蚀刻停止层上方；所述衬底的所述表面包括所述层间介电层的表面、所述栅极间隔件的表面以及所述蚀刻停止层的表面；以及透过所述衬底的所述表面注入碳；以及在透过所述衬底的所述表面扩散碳和注入碳之后，对所述衬底进行退火；其中，所述栅极间隔件和所述蚀刻停止层注入有碳，以与所述衬底的所述表面不正交的第一角度的第一注入以及以与所述第一角度互补的第二角度的第二注入实施注入碳。