[发明专利]具有边缘终端结构的半导体器件有效
| 申请号： | 201310038251.4 | 申请日： | 2013-01-31 |
| 公开（公告）号： | CN103227193A | 公开（公告）日： | 2013-07-31 |
| 发明（设计）人： | F.希尔勒;A.毛德;H-J.舒尔策 | 申请（专利权）人： | 英飞凌科技奥地利有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/36;H01L29/78;H01L29/861;H01L29/70 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 胡莉莉;刘春元 |
| 地址： | 奥地利*** | 国省代码： | 奥地利;AT |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及具有边缘终端结构的半导体器件。半导体器件包括含有第一表面、内部区和边缘区的半导体本体、在内部区和边缘区中的第一掺杂类型的第一掺杂器件区、与第一器件区一起在内部区中形成器件结的第二器件区以及从第一表面延伸到半导体本体中的多个至少两个介电区。在半导体本体的横向方向上邻近的两个介电区通过半导体台面区被分离。半导体器件进一步包括被连接到第二器件区并且被连接到至少一个半导体台面区的电阻层。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 边缘 终端 结构 半导体器件 | ||
【主权项】：
一种半导体器件，其包括：半导体本体，所述半导体本体包括第一表面、内部区和边缘区；在内部区和边缘区中的第一掺杂类型的第一掺杂器件区；第二器件区，所述第二器件区与第一器件区一起在内部区中形成器件结；多个至少两个介电区，所述多个至少两个介电区从第一表面延伸到半导体本体中，其中在半导体本体的横向方向上邻近的两个介电区通过半导体台面区被分离；以及电阻层，所述电阻层被连接到第二器件区并且被连接到至少一个半导体台面区。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于英飞凌科技奥地利有限公司，未经英飞凌科技奥地利有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201310038251.4/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
