[发明专利]包括冗余单元的半导体器件无效
申请号: | 201310032485.8 | 申请日: | 2013-01-28 |
公开(公告)号: | CN103632731A | 公开(公告)日: | 2014-03-12 |
发明(设计)人: | 朴妍希 | 申请(专利权)人: | 爱思开海力士有限公司 |
主分类号: | G11C29/44 | 分类号: | G11C29/44 |
代理公司: | 北京弘权知识产权代理事务所(普通合伙) 11363 | 代理人: | 俞波;石卓琼 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 韩国;KR |
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摘要: | 发明公开了一种包括冗余单元的半导体器件。半导体器件包括控制信号发生器和比较器。控制信号发生器被配置成产生第一控制信号、第二控制信号和熔丝控制信号,所述第一控制信号包括与行地址使能信号被禁止的时间点同步产生的脉冲,所述第二控制信号包括与行地址使能信号被使能的时间点同步产生的脉冲,所述熔丝控制信号从第一控制信号的脉冲和第二控制信号的脉冲发生的时间点开始在预定的时段期间被使能。比较器被配置成响应于第一控制信号的脉冲或者响应于第二控制信号的脉冲而产生比较信号。 | ||
搜索关键词: | 包括 冗余 单元 半导体器件 | ||
【主权项】:
一种半导体器件,包括:控制信号发生器,所述控制信号发生器被配置成产生第一控制信号、第二控制信号和熔丝控制信号,所述第一控制信号包括与复位信号同步产生的第一脉冲和与行地址使能信号被禁止的时间点同步产生的第二脉冲,所述第二控制信号包括与所述行地址使能信号被使能的时间点同步产生的脉冲,所述熔丝控制信号每当所述第一控制信号的第一脉冲和第二脉冲以及所述第二控制信号的脉冲发生时在预定的时段期间被使能;以及比较器,所述比较器被配置成响应于所述第一控制信号的第一脉冲和第二脉冲或者响应于所述第二控制信号的脉冲而产生比较信号,其中,通过将响应于所述第一控制信号的第一脉冲和第二脉冲、根据第一单元块中失效的存储器单元的地址而产生的熔丝信号与地址信号进行比较,或者通过将响应于所述第二控制信号的脉冲、根据第二单元块中失效的存储器单元的地址而产生的另一熔丝信号与所述地址信号进行比较,来产生所述比较信号。
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