[发明专利]用悬置石墨烯膜形成的纳米器件有效
| 申请号： | 201310030301.4 | 申请日： | 2013-01-25 |
| 公开（公告）号： | CN103227203A | 公开（公告）日： | 2013-07-31 |
| 发明（设计）人： | 朱文娟 | 申请（专利权）人： | 国际商业机器公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/06;H01L21/336;B82Y40/00 |
| 代理公司： | 北京市中咨律师事务所 11247 | 代理人： | 于静;张亚非 |
| 地址： | 美国*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本发明涉及用悬置石墨烯膜形成的纳米器件。使用在半导体结构的开放腔之间悬置的石墨烯膜构造诸如纳米探针和纳米刀器件的半导体纳米器件。所述悬置的石墨烯膜用作机电膜，所述机电膜可被制造为非常薄，厚度为一个原子或数个原子的厚度，从而极大地提高了半导体纳米探针和纳米刀器件的灵敏度和可靠度。 | ||
| 搜索关键词： | 悬置 石墨 形成 纳米 器件 | ||
【主权项】：
一种半导体器件，包括：底栅电极；第一绝缘层，其被设置在所述底栅电极之上，所述第一绝缘层包括与所述底栅电极对准的第一开放腔；第二绝缘层，其被设置在所述第一绝缘层之上，所述第二绝缘层包括与所述第一开放腔对准的第二开放腔；石墨烯层，其被设置在所述第一和第二绝缘层之间，其中所述石墨烯层的一部分悬置在所述第一和第二开放腔之间；至少一个感测电极，其被设置在所述石墨烯层上并邻近所述第一和第二开放腔；细长纳米结构，其被安装到所述石墨烯层的悬置在所述第一和第二开放腔之间的所述一部分上；以及顶栅电极，其被设置在所述第二绝缘层之上，所述顶栅电极与所述底栅电极以及所述第一和第二开放腔对准。
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