[发明专利]GOI硅片制作方法、GOI硅片及GOI检测方法有效
| 申请号： | 201310028772.1 | 申请日： | 2013-01-25 |
| 公开（公告）号： | CN103972145A | 公开（公告）日： | 2014-08-06 |
| 发明（设计）人： | 马万里;赵文魁 | 申请（专利权）人： | 北大方正集团有限公司;深圳方正微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/762 | 分类号： | H01L21/762;H01L21/66 |
| 代理公司： | 北京同达信恒知识产权代理有限公司 11291 | 代理人： | 黄志华 |
| 地址： | 100871 北京市*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种GOI硅片制作方法、GOI硅片，以及一种基于制作的GOI硅片进行GOI检测的方法，其中，GOI硅片制作方法包括：在沟槽型VDMOS制作过程中，形成沟槽以及生长栅氧化层之后，生长一层多晶层；在生长多晶层之后，将金属层掩模板与生长多晶层的硅衬底进行对准，其中，所述金属层掩模板是VDMOS制作过程中形成金属层时采用的掩模板；采用光刻工艺，通过对准后的金属掩模板在生长多晶层的硅衬底上形成至少一个用于GOI检测的图形，形成GOI硅片。采用本发明实施例这里提出的技术方案，能够降低GOI硅片和VDMOS器件之间的误差，准确性较好，并能有效地节省资源，进而能够较好地提高GOI检测结果的准确性。 | ||
| 搜索关键词： | goi 硅片 制作方法 检测 方法 | ||
【主权项】：
一种基于沟槽型垂直双扩散金属氧化物半导体晶体管VDMOS制作过程中的栅氧完整性GOI硅片制作方法，在硅衬底上生长一层初始氧化层，通过生长的初始氧化层做为屏蔽形成沟槽，形成沟槽后的硅衬底上生长栅氧化层，其特征在于，包括：在形成沟槽以及生长栅氧化层的硅衬底上，生长一层多晶层；在生长多晶层之后，将金属层掩模板与生长多晶层的硅衬底进行对准，其中，所述金属层掩模板是VDMOS制作过程中形成金属层时采用的掩模板；采用光刻工艺，通过对准后的金属掩模板在生长多晶层的硅衬底上形成至少一个用于GOI检测的图形，形成GOI硅片。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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