[发明专利]氮化物半导体结构及半导体发光元件有效
| 申请号： | 201310028759.6 | 申请日： | 2013-01-25 |
| 公开（公告）号： | CN103972339B | 公开（公告）日： | 2017-12-12 |
| 发明（设计）人： | 王信介;李玉柱;吴俊德;林京亮;李允立 | 申请（专利权）人： | 新世纪光电股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/06 | 分类号： | H01L33/06;H01L33/14;H01L33/12 |
| 代理公司： | 北京同立钧成知识产权代理有限公司11205 | 代理人： | 马雯雯,臧建明 |
| 地址： | 中国台湾台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明关于一种氮化物半导体结构及半导体发光元件。该氮化物半导体结构主要于N型半导体层与P型半导体层间配置有一发光层，发光层与P型半导体层间配置有一四元载子活性层，且四元载子活性层为氮化铝铟镓AlxInyGa1‑x‑yN，其中x及y为满足0＜x＜1、0＜y＜1、0＜x+y＜1的数值。该半导体发光元件于一基板上包含上述氮化物半导体结构，以及二相配合提供电能的N型电极与P型电极。由此，与公知的P‑AlGaN电子阻挡层相较下，该氮化物半导体结构及半导体发光元件能提升电洞进入多重量子井结构的效果，同时达到抑制电子逃逸进入P型半导体层的目的，使得电子电洞结合机率增加，进一步提升发光效率。 | ||
| 搜索关键词： | 氮化物 半导体 结构 发光 元件 | ||
【主权项】：
一种氮化物半导体结构，其包含一N型半导体层以及一P型半导体层，于所述N型半导体层与所述P型半导体层间配置有一发光层，所述发光层与所述P型半导体层间配置有一四元载子活性层，所述四元载子活性层为氮化铝铟镓AlxInyGa1‑x‑yN，其中x及y为满足0<x<1、0<y<1、0<x+y<1的数值；其中，所述四元载子活性层掺杂有浓度介于1016‑1019cm‑3的第四主族元素；其中，所述四元载子活性层掺杂有浓度大于1018cm‑3的P型掺质；其中，所述P型掺质为镁。
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