[发明专利]一种自封装的MEMS器件及红外传感器有效
| 申请号： | 201310012806.8 | 申请日： | 2013-01-14 |
| 公开（公告）号： | CN103058123A | 公开（公告）日： | 2013-04-24 |
| 发明（设计）人： | 赵丹淇;张大成;何军;黄贤;杨芳;田大宇;刘鹏;王玮;李婷;罗葵 | 申请（专利权）人： | 北京大学 |
| 主分类号： | B81B3/00 | 分类号： | B81B3/00;G01J5/44 |
| 代理公司： | 北京君尚知识产权代理事务所(普通合伙) 11200 | 代理人： | 余功勋 |
| 地址： | 100871 北*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开一种基于表面牺牲层工艺制作的自封装的MEMS器件以及及采用该器件结构的红外传感器。该MEMS器件包括基片、衬底保护层、下电极、下电极保护层、结构层、金属层以及封装层，所述结构层和所述金属层位于由所述封装层形成的封装腔室内，所述封装腔室通过在释放MEMS器件结构时利用粘附效应将封装层粘附在下电极保护层上而形成。本发明适用于红外传感器等具有可动结构的MEMS器件，MEMS器件本身和封装一起完成，封装周期短，工艺质量和成品率高，适于批量大规模生产。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 封装 mems 器件 红外传感器 | ||
【主权项】：
一种自封装的MEMS器件，其特征在于，依次包括基片、衬底绝缘层、下电极、下电极绝缘层、结构层、金属层以及封装层，所述结构层和所述金属层位于由所述封装层形成的封装腔室内，所述封装腔室通过在释放MEMS器件结构时利用粘附效应将封装层粘附在下电极绝缘层上而形成。
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