[发明专利]用于等离子体鞘电压控制的系统、方法和装置在审
| 申请号： | 201280055163.9 | 申请日： | 2012-10-31 |
| 公开（公告）号： | CN104955980A | 公开（公告）日： | 2015-09-30 |
| 发明（设计）人： | 阿列克谢·马拉赫塔诺夫;拉金德尔·迪恩赛;埃里克·赫德森;安德鲁·D·贝利三世 | 申请（专利权）人： | 朗姆研究公司 |
| 主分类号： | C23C14/34 | 分类号： | C23C14/34 |
| 代理公司： | 上海胜康律师事务所 31263 | 代理人： | 李献忠 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 用于增加从等离子体射出的离子的能量水平的系统、方法和装置包括：等离子体腔室，所述等离子体腔室包括上方电极和下方电极；多个RF源，所述RF源中的至少一个与所述下方电极耦合。锁相电路与RF源中的此后指定为第一RF源和第二RF源的至少两个RF源耦合。控制器与等离子体腔室、每一个RF源以及锁相电路耦合。控制器包括操作系统软件、多个逻辑电路和处理配方。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 等离子体 电压 控制 系统 方法 装置 | ||
【主权项】：
一种锁相等离子体腔室系统，其包括：等离子体腔室，其包括上方电极和下方电极；多个RF源，所述多个RF源中的至少一个与所述下方电极耦合；锁相电路，其与所述多个RF源中的此后指定为第一RF源和第二RF源的至少两个耦合；以及控制器，其与所述等离子体腔室、每一个所述多个RF源以及所述锁相电路耦合，所述控制器包括：操作系统软件；多个逻辑电路；以及处理配方。
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