[发明专利]有机薄膜晶体管

摘要

本发明提供一种有机薄膜晶体管及其制造方法，包括：在基板（1）上形成栅电极（2）的工序；在栅电极上形成栅极绝缘膜（3）的工序；在栅极绝缘膜上形成源电极（4S）和漏电极（4D）的工序；在源电极和漏电极上形成牺牲层（5）的工序；在牺牲层上形成隔壁层（6R）的工序；通过对隔壁层进行图案形成，使牺牲层的一部分露出而形成开口的工序；通过除去露出的牺牲层，使源电极和漏电极露出的工序；和遍及源电极和漏电极的上表面以及栅极绝缘膜的上表面而形成有机半导体层（7）的工序，从开口露出的源电极和漏电极的表面积为开口面积的50%以上，源电极与漏电极的间隔小于至少一部分位于源电极和漏电极上的有机半导体层的结晶的平均粒径。

主权项

一种有机薄膜晶体管的制造方法，包括：在基板上形成栅电极的工序；在所述栅电极上形成栅极绝缘膜的工序；在所述栅极绝缘膜上分离地形成源电极和漏电极的工序；在所述源电极和所述漏电极上形成牺牲层的工序；在所述牺牲层上形成隔壁层的工序；通过对所述隔壁层进行图案形成，使所述源电极与所述漏电极之间的所述栅极绝缘膜露出，并且使形成在所述源电极和所述漏电极上的所述牺牲层的一部分露出而形成开口的工序；通过除去露出的所述牺牲层，使所述源电极和所述漏电极露出的工序；以及在所述开口内，遍及露出的所述源电极和所述漏电极的上表面以及所述栅极绝缘膜的上表面而形成有机半导体层的工序，从所述开口露出的所述源电极和所述漏电极的表面积为所述开口的面积的50%以上，所述源电极与所述漏电极的间隔小于所述有机半导体层的结晶中的、至少一部分位于所述源电极和所述漏电极上的结晶的平均粒径。