[发明专利]有机薄膜晶体管

权利要求书

1.一种有机薄膜晶体管的制造方法，包括：

在基板上形成栅电极的工序；

在所述栅电极上形成栅极绝缘膜的工序；

在所述栅极绝缘膜上分离地形成源电极和漏电极的工序；

在所述源电极和所述漏电极上形成牺牲层的工序；

在所述牺牲层上形成隔壁层的工序；

通过对所述隔壁层进行图案形成，使所述源电极与所述漏电极之间的所述栅极绝缘膜露出，并且使形成在所述源电极和所述漏电极上的所述牺牲层的一部分露出而形成开口的工序；

通过除去露出的所述牺牲层，使所述源电极和所述漏电极露出的工序；以及

在所述开口内，遍及露出的所述源电极和所述漏电极的上表面以及所述栅极绝缘膜的上表面而形成有机半导体层的工序，

从所述开口露出的所述源电极和所述漏电极的表面积为所述开口的面积的50%以上，

所述源电极与所述漏电极的间隔小于所述有机半导体层的结晶中的、至少一部分位于所述源电极和所述漏电极上的结晶的平均粒径。

2.根据权利要求1所述的有机薄膜晶体管的制造方法，

在俯视时，从所述开口露出的所述源电极或所述漏电极与所述栅电极沿着沟道方向重叠的区域的长度比所述源电极与所述漏电极的间隔长。

3.根据权利要求1或2所述的有机薄膜晶体管的制造方法，

在俯视时，所述栅电极的端部位于所述开口的外侧。

4.根据权利要求1或2所述的有机薄膜晶体管的制造方法，

在俯视时，所述栅电极的端部位于所述开口的内侧。

5.根据权利要求1至4中任一项所述的有机薄膜晶体管的制造方法，

所述开口为矩形，

所述源电极是具有沿着所述开口的一边形成的梳齿部的梳形电极，

所述漏电极是具有沿着所述开口的另一边形成的梳齿部、且与所述源电极咬合的梳形电极，

所述源电极和所述漏电极的所述梳齿部的至少一方的顶端与所述开口的不同于所述一边及所述另一边的边是分开的。

6.根据权利要求1至5中任一项所述的有机薄膜晶体管的制造方法，

分离地形成所述源电极以及所述漏电极的工序和形成所述牺牲层的工序包括：

在所述栅极绝缘膜上形成金属膜的工序；

在所述金属膜上形成所述牺牲层的工序；

对所述牺牲层进行图案形成的工序；以及

对所述金属膜进行图案形成而形成所述源电极以及所述漏电极的工序。

7.根据权利要求1至5中任一项所述的有机薄膜晶体管的制造方法，

分离地形成所述源电极和所述漏电极的工序和形成所述牺牲层的工序包括：

在所述栅极绝缘膜上形成金属膜的工序；

在所述金属膜上形成所述牺牲层的工序；以及

对所述牺牲层和所述金属膜一并进行图案形成的工序。

8.根据权利要求1至7中任一项所述的有机薄膜晶体管的制造方法，

所述牺牲层由金属、金属合金或金属化合物形成。

9.根据权利要求8所述的有机薄膜晶体管的制造方法，

所述牺牲层的薄膜电阻比所述源电极和所述漏电极的薄膜电阻低。

10.根据权利要求1至7中任一项所述的有机薄膜晶体管的制造方法，

所述牺牲层由绝缘材料形成。

11.根据权利要求1至10中任一项所述的有机薄膜晶体管的制造方法，

所述牺牲层由具有拨液性的材料构成。

12.根据权利要求11所述的有机薄膜晶体管的制造方法，

在所述牺牲层中添加有氟。

13.根据权利要求1至12中任一项所述的有机薄膜晶体管的制造方法，

在形成所述有机半导体层的工序中，通过将用于形成所述有机半导体层的有机半导体溶液涂覆在所述开口内并进行热处理，从而形成所述有机半导体层。