[实用新型]基于硅衬底的薄型集成电路封装结构有效
| 申请号： | 201220740297.1 | 申请日： | 2012-12-28 |
| 公开（公告）号： | CN203013705U | 公开（公告）日： | 2013-06-19 |
| 发明（设计）人： | 吕致纬 | 申请（专利权）人： | 矽格微电子（无锡）有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/485 | 分类号： | H01L23/485 |
| 代理公司： | 无锡市大为专利商标事务所 32104 | 代理人： | 曹祖良 |
| 地址： | 214028 *** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本实用新型涉及一种封装结构，尤其是一种基于硅衬底的薄型集成电路封装结构，属于半导体封装的技术领域。按照本实用新型提供的技术方案，所述基于硅衬底的薄型集成电路封装结构，包括硅衬底，所述硅衬底内凹设有封装槽，所述封装槽的底部及侧壁上覆盖有绝缘支撑层，且所述绝缘支撑层延伸封装槽槽口外侧的硅衬底表面；绝缘支撑层上覆盖有第一连接层，所述第一连接层上覆盖有第二连接层，IC芯片通过金属凸块与第二连接层电连接，第二连接层上设有连接电极，所述连接电极位于封装槽槽口的外侧。本实用新型结构紧凑，封装厚度能低于0.5mm，满足薄型化封装要求，安全可靠。 | ||
| 搜索关键词： | 基于 衬底 集成电路 封装 结构 | ||
【主权项】：
一种基于硅衬底的薄型集成电路封装结构，其特征是：包括硅衬底（1），所述硅衬底（1）内凹设有封装槽（14），所述封装槽（14）的底部及侧壁上覆盖有绝缘支撑层（2），且所述绝缘支撑层（2）延伸封装槽（14）槽口外侧的硅衬底（1）表面；绝缘支撑层（2）上覆盖有第一连接层（3），所述第一连接层（3）上覆盖有第二连接层（4），IC芯片（9）通过金属凸块（6）与第二连接层（4）电连接，第二连接层（4）上设有连接电极（8），所述连接电极（8）位于封装槽（14）槽口的外侧。
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