[实用新型]具有阶梯式多重不连续场板的LDMOS器件有效
| 申请号： | 201220331468.5 | 申请日： | 2012-07-10 |
| 公开（公告）号： | CN202888188U | 公开（公告）日： | 2013-04-17 |
| 发明（设计）人： | 马强 | 申请（专利权）人： | 苏州远创达科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/06 |
| 代理公司： | 苏州创元专利商标事务所有限公司 32103 | 代理人： | 范晴 |
| 地址： | 215123 江苏省苏州市工业*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本实用新型公开了一种具有阶梯式多重不连续场板的LDMOS器件，包括半导体本体，该LDMOS器件包括半导体本体，半导体本体包括从下至上依次设置的半导体衬底区、半导体外延层以及半导体介质层，在半导体介质层内设有沿沟道区延伸的栅以及从栅朝向漏漂移区的水平方向上依次设置的至少两个场板，与栅相邻的第一场板在漏漂移区上具有水平延伸，其余与栅不相邻的场板均为水平条状，场板之间距离大于零，与第一场板相邻的第二场板与漏漂移区间的距离大于第一场板水平延伸部分与漏漂移区间的距离，其余水平条状场板与漏漂移区间的距离逐次递增。本实用新型缓解了源漏击穿电压与导通电阻的优化要求之间的矛盾，改善LDMOS器件的性能。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 阶梯 多重 连续 ldmos 器件 | ||
【主权项】：
一种具有阶梯式多重不连续场板的LDMOS器件，包括半导体本体，半导体本体包括最下层的半导体衬底区、设于半导体衬底区上的半导体外延层以及最上层的半导体介质层，半导体外延层与半导体介质层之间形成有沟道区、漏漂移区，其特征在于，半导体介质层内设有沿沟道区延伸的栅以及从栅朝向漏漂移区的水平方向上依次设置的至少两个场板，与栅相邻的第一场板在漏漂移区上具有水平延伸，其余与栅不相邻的场板均为水平条状，场板之间的水平距离大于零，与第一场板相邻的第二场板与漏漂移区间的距离大于第一场板水平延伸部分与漏漂移区间的距离，其余水平条状场板与漏漂移区间的距离逐次递增。
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