[发明专利]一种P型硅衬底的双PIN结双面太阳能电池有效

申请号：	201210594986.0	申请日：	2012-12-28
公开（公告）号：	CN103066147A	公开（公告）日：	2013-04-24
发明（设计）人：	韩元杰;李新富;吴鹏飞;张冰;章志娟	申请（专利权）人：	浙江金贝能源科技有限公司
主分类号：	H01L31/077	分类号：	H01L31/077;H01L31/0352
代理公司：	暂无信息	代理人：	暂无信息
地址：	311500 浙江省杭州***	国省代码：	浙江;33
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摘要：	本发明公开了一种P型硅衬底的双PIN结双面太阳能电池，包括P型硅衬底，P型硅衬底上下两个表面上均制成绒面，P型硅衬底上表面的绒面上高温磷扩散掺杂，并自下而上依次隔离层I、N型掺杂层、隔离层I和N-型掺杂层四层结构；最上一层再用PECVD技术实现SiN减反射膜；其中要在最后实行埋电极与输出极的制备；P型硅衬底下表面绒面上自上而下进行背面的高温硼扩散掺杂，依次形成隔离层I、P型掺杂层、P+型掺杂层的三层结构。
搜索关键词：	一种衬底 pin 双面太阳能电池
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【主权项】：

一种P型硅衬底的双PIN结双面太阳能电池，其特征在于：包括P型硅衬底，P型硅衬底上下两个表面上均设有绒面，在P型硅衬底上表面的绒面上进行高温磷扩散掺杂，并自下而上依次形成隔离层I、N型掺杂层、隔离层I和N‑型掺杂层四层结构；最上一层再用PECVD技术实现SiN减反射膜；其中要在最后实行埋电极与输出极的制备；P型硅衬底下表面绒面上进行背面的高温硼扩散掺杂，自上而下依次形成隔离层I、P型掺杂层、P+型掺杂层的三层结构。

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摘要：本实用新型公开了一种过饱和掺杂高效异质结电池，包括晶硅、正电极、从上至下依次位于晶硅背面的非晶硅薄膜、导电薄膜和金属电极，晶硅上表面为掺入过饱和硒元素形成的硅-硒掺杂层，正电极位于硅-硒掺杂层上。本实用新型的优点是电池晶硅上表面为掺入过饱和硒元素形成的硅-硒掺杂层，不但能够有效抑制深能级杂质的非辐射复合，减小其对载流子寿命的危害，突破S-Q理论极限，而且背面形成BSF结构，增加长波吸收提高短路电流，从而提高电池的光电转换效率。

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摘要：本发明公开了一种过饱和掺杂高效异质结电池及其制造方法，电池包括晶硅、正电极、从上至下依次位于晶硅背面的非晶硅薄膜、导电薄膜和金属电极，晶硅上表面为掺入过饱和硒元素形成的硅-硒掺杂层，正电极位于硅-硒掺杂层上，制作方法包括：晶硅衬底中过饱和的掺入硒元素，形成上表面硅-硒掺杂层；在硅-硒掺杂层上制备正电极；在晶硅背面制备非晶硅薄膜；在非晶硅薄膜上依次制备导电薄膜和金属电极。本发明的优点是电池晶硅上表面掺入过饱和硒元素形成硅-硒掺杂层，不但能够有效抑制深能级杂质的非辐射复合，减小其对载流子寿命的危害，突破S-Q理论极限，而且背面形成BSF结构，增加长波吸收提高短路电流，从而提高电池的光电转换效率。

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发明人：李炳寰;陈玟帆 -专利权人：亚树科技股份有限公司
申请日： 2011-12-30 - 公布日： 2013-07-03 - 主分类号： H01L31/077
摘要：本发明揭示一种具有高红外光吸收率的薄膜太阳能电池及其制程方法。该薄膜太阳能电池主要包含：一基板、一第一透明导电层、一P型半导体层、一本质(i)型半导体层、一N型半导体层、一第二透明导电层以及一背电极。藉由使用氧化铟钼材料的透明导电层，该薄膜太阳能电池可有效地吸收红外光并提升光电转换效率。

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摘要：本发明提高利用pin结型薄膜层构成的薄膜太阳能电池的转换效率。具体而言，提供一种薄膜太阳能电池及其制造方法，该薄膜太阳能电池的内部包括层叠体，该层叠体包括：第一扩散层，其由具有p型或n型的导电性的半导体构成；成膜层，其由具有比第一扩散层低的导电性的半导体构成；和第二扩散层，其由具有与成膜层不同的极性的半导体构成，第一扩散层和第二扩散层的杂质浓度沿各自的膜厚方向梯度性地分布。第一扩散层的表面附近的杂质浓度比第一扩散层的与成膜层之间的界面附近的杂质浓度高。第二扩散层的表面附近的杂质浓度比第二扩散层的与所述成膜层之间的界面附近的杂质浓度高。

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摘要：本实用新型公开了一种P型硅衬底的双PIN结双面太阳能电池，包括P型硅衬底，P型硅衬底上下两个表面上均设有绒面，在P型硅衬底上表面的绒面上自下而上依次设有隔离层I、N型掺杂层、隔离层I和N-型掺杂层四层结构；最上一层的N-型掺杂层上设有SiN减反射膜；P型硅衬底下表面的绒面上自上而下依次设有隔离层I、P型掺杂层、P+型掺杂层的三层结构。

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摘要：本发明公开了一种P型硅衬底的双PIN结双面太阳能电池，包括P型硅衬底，P型硅衬底上下两个表面上均制成绒面，P型硅衬底上表面的绒面上高温磷扩散掺杂，并自下而上依次隔离层I、N型掺杂层、隔离层I和N-型掺杂层四层结构；最上一层再用PECVD技术实现SiN减反射膜；其中要在最后实行埋电极与输出极的制备；P型硅衬底下表面绒面上自上而下进行背面的高温硼扩散掺杂，依次形成隔离层I、P型掺杂层、P+型掺杂层的三层结构。

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摘要：本发明公开了一种太阳能电池及其制造方法。该太阳能电池包括基底、半导体层、第一掺杂图案和第二掺杂图案。基底具有适合于接收太阳光的第一表面和背对第一表面的第二表面。半导体层包括形成在基底的第二表面的第一区域上的绝缘图案以及形成在基底的第二表面的其上不形成绝缘图案的第二区域上的半导体图案。第一掺杂图案和第二掺杂图案形成在半导体图案中或形成在半导体图案上。

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发明人：西宫立享 -专利权人：三菱重工业株式会社
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摘要：本发明的目的在于提供一种光电转换装置(100)，通过抑制氧从透明电极层向微晶硅p层的扩散，从而具有较高的发电效率。该光电转换装置(100)，在基板(1)上具备透明电极层(2)、和至少一个光电转换层(3)，至少一个的所述光电转换层(3)包含p型结晶质硅层(41)、i型结晶质硅层(42)、以及n型硅层(43)，在所述透明电极层(2)和所述p型结晶质硅层(41)之间邻接配置有非晶质硅层(7)。

专利分类

H 电学

H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的

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