[发明专利]半导体存储器件、存储模块和存储系统及其操作方法无效
| 申请号： | 201210591062.5 | 申请日： | 2012-12-31 |
| 公开（公告）号： | CN103187092A | 公开（公告）日： | 2013-07-03 |
| 发明（设计）人： | 柳鹤洙;崔周善;黄泓善 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | G11C11/4063 | 分类号： | G11C11/4063;G11C16/06 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 张泓 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 一种半导体存储器件包括包含通过第一地址存取的多个区域的单元阵列，其中所述多个区域包括分别具有不同存储特性的至少两组区域。所述器件进一步包括用于指示多个区域中的每一个属于至少两组中的哪个组的组信息的非易失性存储的非易失性阵列。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 存储 器件 模块 存储系统 及其 操作方法 | ||
【主权项】：
一种半导体存储器件，包括：单元阵列，包括通过第一地址存取的多个区域，所述多个区域包括分别具有不同存储特性的至少两组区域；以及非易失性阵列，用于对指示多个区域中的每一个属于所述至少两组中的哪个组的组信息的非易失性储存。
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