[发明专利]具有终端保护结构的半导体功率器件无效
| 申请号： | 201210586270.6 | 申请日： | 2012-12-28 |
| 公开（公告）号： | CN103066105A | 公开（公告）日： | 2013-04-24 |
| 发明（设计）人： | 林敏之;陈伟 | 申请（专利权）人： | 上海贝岭股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06 |
| 代理公司： | 北京金信立方知识产权代理有限公司 11225 | 代理人： | 刘锋;刘世杰 |
| 地址： | 200233 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种具有终端保护结构的半导体功率器件，包括有源区以及环绕该有源区设置的终端保护区，该终端保护区具有划片边缘，并包括一个填充满绝缘材料的沟槽，该沟槽在垂直方向上紧邻该氧化层，并延伸入该外延层内，其中，该沟槽在宽度方向上包括一个与该划片边缘相重叠的第一边缘以及与该第一边缘相对的第二边缘。本发明的半导体功率器件，极大地缩短了功率器件终端保护区的长度，并提高了功率器件的耐压能力。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 终端 保护 结构 半导体 功率 器件 | ||
【主权项】：
一种具有终端保护结构的半导体功率器件，包括有源区以及环绕该有源区设置的终端保护区，该终端保护区具有划片边缘，该有源区包括第一类导电类型的衬底层、形成于该衬底层上的第一类导电类型的外延层以及形成于该外延层上的第二类导电类型的阱层，该外延层上方覆盖有氧化层和金属层，该氧化层和金属层延伸到该终端保护区内，其特征在于，所述终端保护区包括一个填充满绝缘材料的沟槽，该沟槽在垂直方向上紧邻该氧化层，并延伸入该外延层内，其中，该沟槽在宽度方向上包括一个与该划片边缘相重叠的第一边缘以及与该第一边缘相对的第二边缘。
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