[发明专利]鳍轮廓结构及其制造方法有效
| 申请号： | 201210568480.2 | 申请日： | 2012-12-24 |
| 公开（公告）号： | CN103296085A | 公开（公告）日： | 2013-09-11 |
| 发明（设计）人： | 张家维;刘志方;彭治棠;黄泰钧;陈嘉仁 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/06;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 | 代理人： | 章社杲;孙征 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种FinFET器件可以包括与第二半导体鳍横向相邻的第一半导体鳍。第一半导体鳍和第二半导体鳍可以具有用于使缺陷和变形最少的轮廓。第一半导体鳍包括上部和下部。第一半导体鳍的下部可以具有在底部比第一半导体鳍的上部更宽的扩口轮廓。第二半导体鳍的下部可以具有比第二半导体鳍的上部更宽、但是比第一半导体鳍的下部更小的扩口轮廓。 | ||
| 搜索关键词： | 轮廓 结构 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种FinFET器件，包括：第一半导体鳍，位于半导体衬底上方，其中，所述第一半导体鳍包括：第一上部，具有第一宽度；以及第一下部，位于所述第一上部下方，所述第一下部具有第二宽度，所述第二宽度大于所述第一宽度；以及第二半导体鳍，位于所述半导体衬底上方，其中，所述第二半导体鳍与所述第一半导体鳍横向相邻，所述第二半导体鳍包括：第二上部，具有第三宽度；以及第二下部，位于所述第二上部下方，所述第二下部具有第四宽度，所述第四宽度大于所述第三宽度，并且所述第四宽度小于所述第二宽度。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于台湾积体电路制造股份有限公司，未经台湾积体电路制造股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201210568480.2/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：用于半导体器件的栅极结构
- 下一篇：具有集成插槽的系统级封装
- 同类专利
- 专利分类
