[发明专利]使用高介电常数槽结构的低比导通电阻的横向功率器件

摘要

使用高介电常数槽结构的低比导通电阻的横向功率器件，涉及半导体功率器件。本发明包括硅衬底、漂移区、第一绝缘介质、栅极、沟道区、欧姆接触重掺杂区、源极、漏极、第二绝缘介质、源极引出线、漏极引出线，在漂移区内至少嵌入设置两个隔离区；隔离区内填充有第一填充材料，在漂移区和隔离区的表面设置有第二绝缘介质，栅极通过第二绝缘介质上的孔与第一填充材料直接接触。本发明在同等漂移区掺杂浓度的条件下，漂移区的载流子出现显著增加，呈数量级降低其比导通电阻。

主权项

使用高介电常数槽结构的低比导通电阻的横向功率器件，包括硅衬底[4]、漂移区[1]、第一绝缘介质[10]、栅极[5]、沟道区[6]、欧姆接触重掺杂区[7]、源极[8]、漏极[11]、第二绝缘介质[9]、源极引出线[16]、漏极引出线[12]，其特征在于，漂移区[1]、漏极[11]、源极[8]为第一种导电类型，沟道区[6]、硅衬底[4]、欧姆接触重掺杂区[7]为第二种导电类型；在漂移区[1]内至少嵌入设置两个隔离区；隔离区之间为漂移区[1]和沟道区[6]；每个隔离区从源极[8]延伸到漏极[11]；高介电常数材料条[3]和第一绝缘介质[10]形成隔离区的边界；隔离区内填充有第一填充材料[2]，在漂移区[1]和隔离区的表面设置有第二绝缘介质[9]，栅极[5]通过第二绝缘介质[9]上的孔与第一填充材料[2]直接接触。