[发明专利]具有凸起漏极结构的场效应晶体管的系统和方法有效
| 申请号： | 201210556638.4 | 申请日： | 2012-12-20 |
| 公开（公告）号： | CN103681849B | 公开（公告）日： | 2016-12-28 |
| 发明（设计）人： | 庄学理;朱鸣 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/08;H01L27/092;H01L21/336;H01L21/8238 |
| 代理公司： | 北京德恒律治知识产权代理有限公司11409 | 代理人： | 章社杲,孙征 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 本发明公开了用于形成具有凸起漏极结构的场效应晶体管的系统和方法方法。该方法包括通过蚀刻半导体衬底形成截锥形源极，截锥形源极在半导体衬底的平坦表面之上突出；形成晶体管栅极，晶体管栅极的第一部分环绕截锥形源极的一部分并且晶体管栅极的第二部分被配置为连接至第一电接触件；以及形成具有凸起部分的漏极，该凸起部分被配置为连接至第二电接触件并且在半导体衬底的平坦表面上方与晶体管栅极的第二部分处于相同水平。还公开了具有凸起漏极结构的半导体器件。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 凸起 结构 场效应 晶体管 系统 方法 | ||
【主权项】：
一种晶体管，包括：栅极，具有栅极接触面；源极区；以及漏极区，具有第一漏极部分和第二漏极部分，所述第一漏极部分被所述栅极环绕，所述第二漏极部分与所述第一漏极部分和所述栅极间隔开并凸起到衬底的表面上方以具有漏极接触面，所述漏极接触面与所述栅极接触面共面。
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