[发明专利]半导体器件场氧化层的腐蚀方法无效
| 申请号： | 201210552385.3 | 申请日： | 2012-12-18 |
| 公开（公告）号： | CN103050395A | 公开（公告）日： | 2013-04-17 |
| 发明（设计）人： | 王民涛 | 申请（专利权）人： | 深圳深爱半导体股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/311 | 分类号： | H01L21/311;H01L21/3115 |
| 代理公司： | 广州华进联合专利商标代理有限公司 44224 | 代理人： | 吴平 |
| 地址： | 518118 广东省*** | 国省代码： | 广东;44 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及一种半导体器件场氧化层的腐蚀方法，包括下列步骤：对晶圆上的场氧化层的表层进行离子注入，注入氩离子；对所述晶圆进行阱区光刻；湿法腐蚀所述场氧化层。本发明通过对场氧化层的表层注入氩离子，使注入有氩离子的表层比没有氩离子的场氧化层底层获得更快的湿法腐蚀速率，从而能够得到较小的氧化层角度。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 氧化 腐蚀 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体器件场氧化层的腐蚀方法，包括下列步骤：对晶圆上的场氧化层的表层进行离子注入，注入氩离子；对所述晶圆进行阱区光刻；湿法腐蚀所述场氧化层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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