[发明专利]功率器件的制造方法

摘要

本发明公开了一种功率器件的制造方法，包括步骤：步骤一、在硅片的正面完成正面工艺，包括涂布聚酰亚胺。步骤二、对硅片背面进行减薄，进行背面离子注入和退火激活。步骤3a、采用湿法旋转刻蚀工艺对硅片背面进行处理。步骤3b、用带有兆声波的去离子水对硅片进行水洗。步骤3c、采用氮气吹干加高速甩干的方法对硅片背面进行干燥。步骤四、形成背面金属。本发明能消除聚酰亚胺对硅片背面的污染，避免背面金属剥落，能适用于大规模生产的需要。

主权项

一种功率器件的制造方法，其特征在于，包括如下步骤：步骤一、在硅片的正面完成功率器件的正面工艺，所述正面工艺包括形成顶层金属，在所述顶层金属上形成钝化层，在所述钝化层上涂布聚酰亚胺；步骤二、涂布所述聚酰亚胺之后，对所述硅片背面进行减薄，减薄之后对所述硅片背面进行背面离子注入，对所述背面离子注入的离子进行退火激活；步骤三、去除在所述退火激活过程中正面的所述聚酰亚胺对所述硅片背面的污染，包括如下分步骤：步骤3a、采用湿法旋转刻蚀工艺对所述硅片背面进行处理，所述湿法旋转刻蚀工艺采用碱性氧化药液对所述硅片背面的硅进行腐蚀，硅腐蚀的厚度为10埃以下；步骤3b、所述湿法旋转刻蚀工艺之后，用带有兆声波的去离子水对所述硅片进行水洗；步骤3c、采用干燥工艺将所述水洗后残留在所述硅片的背面的水去除，所述干燥工艺采用氮气吹干加高速甩干的方法；步骤四、对去除污染后的所述硅片背面形成背面金属。