[发明专利]一种半导体器件及其制备方法

摘要

本发明涉及半导体领域，公开了一种半导体器件及其制备方法。本发明中，通过在对应于晶体管的源极和漏极的金属硅化物接触区的位置上的绝缘介质层中形成通孔，并在通孔内填充金属半导体混合物，将源极和漏极引出。由于金属半导体混合物的电阻率较低，因此可以使得通孔内物质本身的电阻尽量小；而且，由于通孔内的填充材料与源极和漏极接触区的材料均为金属半导体混合物，因此可以使通孔内物质与源极和漏极接触区之间的接触电阻尽量小。此外，由于通孔内填充的是金属半导体混合物，使得通孔内的材料与绝缘介质层的材料之间具有良好的界面和粘附性，又不破坏介质层材料的结构，因此也无需在通孔内的填充材料和绝缘介质层之间形成阻挡层。

主权项

一种半导体器件的制备方法，其特征在于，包含：A.在至少一个晶体管上覆盖绝缘层；其中，在每一个晶体管的源极和漏极形成金属硅化物接触区；B.对所述绝缘层进行刻蚀，在所述晶体管的源极和漏极的金属硅化物接触区上形成通孔；C.在所述通孔内形成金属半导体混合物，将所述晶体管的源极和漏极引出；其中，在所述步骤C中，包含以下子步骤：C1.在所述通孔的内壁淀积金属薄层；C2.在所述金属薄层之上淀积一层硅、锗硅SiGe、或者硅和锗硅Si/SiGe的叠层结构；C3.将所述淀积了金属层的晶体管放置在微波加热设备的腔体内，进行加热退火，得到金属半导体混合物。