[发明专利]半导体装置

摘要

一种半导体装置，能够获取更大的能够配置栅极焊盘的区域。半导体装置包括晶体管，具有栅极电极、第1电极和第2电极；以及第1及第2保护电路，一端共同与栅极电极连接，另一端分别与第1电极及第2电极连接，第1及第2保护电路分别构成于在一个场绝缘膜上分离形成的第1及第2多晶硅层内。

主权项

一种半导体装置，包括：晶体管，具有栅极电极、第1电极和第2电极；以及第1及第2保护电路，一端共同与所述栅极电极连接，另一端分别与所述第1电极及第2电极连接，所述第1及第2保护电路分别构成于在一个场绝缘膜上分离形成的第1及第2多晶硅层内，所述第1保护电路包括：第1导电型的第1中央部，配置于所述第1多晶硅层的中央部；第2导电型的第1带状部，呈环状配置于该第1中央部的外侧；以及第1导电型的第2带状部，呈环状配置于该第1带状部的外侧，所述第2保护电路包括：第1导电型的第2中央部，配置于所述第2多晶硅层的中央部；第2导电型的第3带状部，呈环状配置于该第2中央部的外侧；以及第1导电型的第4带状部，呈环状配置于该第3带状部的外侧，将所述第1中央部及第2中央部通过栅极布线膜共同与所述栅极电极连接，将所述第2带状部与所述第1电极连接，将所述第4带状部与所述第2电极连接，所述第1多晶硅层内的所述第2带状部在芯片边缘侧与所述第1电极连接，所述第2多晶硅层内的所述第4带状部在第2电极侧与所述第2电极连接。