[发明专利]IGBT及其元胞结构、以及IGBT的形成方法无效
| 申请号： | 201210520131.3 | 申请日： | 2012-12-06 |
| 公开（公告）号： | CN103855202A | 公开（公告）日： | 2014-06-11 |
| 发明（设计）人： | 朱阳军;谈景飞;张杰;胡爱斌;卢烁今 | 申请（专利权）人： | 江苏物联网研究发展中心;中国科学院微电子研究所;江苏中科君芯科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/739 | 分类号： | H01L29/739;H01L29/06;H01L21/331 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 王宝筠 |
| 地址： | 214135 江苏省无锡市新*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种IGBT及其元胞结构，和IGBT形成方法，其中，所述元胞结构包括：第一漂移区和位于第一漂移区下表面的第二漂移区，第一漂移区与第二漂移区的掺杂类型和浓度均相同；至少一个位于第一漂移区和第二漂移区之间的掺杂区，掺杂区的掺杂类型与第二漂移区的掺杂类型相同，且掺杂区的掺杂浓度大于第二漂移区的掺杂浓度；位于第二漂移区背离掺杂区一侧的集电区，集电区的掺杂类型与所述第二漂移区的掺杂类型相反，使得本发明所提供的IGBT具有良好的导通损耗与开关损耗之间的折中关系，整体性能比较高。 | ||
| 搜索关键词： | igbt 及其 结构 以及 形成 方法 | ||
【主权项】：
一种IGBT元胞结构，其特征在于，包括：第一漂移区和位于所述第一漂移区下表面的第二漂移区，所述第一漂移区与所述第二漂移区的掺杂类型和浓度均相同；至少一个位于所述第一漂移区和第二漂移区之间的掺杂区，所述掺杂区的掺杂类型与所述第二漂移区的掺杂类型相同，且所述掺杂区的掺杂浓度大于所述第二漂移区的掺杂浓度；位于所述第二漂移区背离所述掺杂区一侧的集电区，所述集电区的掺杂类型与所述第二漂移区的掺杂类型相反。
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