[发明专利]一种IGBT器件及其形成方法有效
| 申请号： | 201210499322.6 | 申请日： | 2012-11-29 |
| 公开（公告）号： | CN103855197A | 公开（公告）日： | 2014-06-11 |
| 发明（设计）人： | 褚为利;朱阳军;张文亮;王波;谈景飞 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所;江苏中科君芯科技有限公司;江苏物联网研究发展中心 |
| 主分类号： | H01L29/739 | 分类号： | H01L29/739;H01L29/423;H01L21/331 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 王宝筠 |
| 地址： | 100029 北京市*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明实施例公开了一种IGBT器件及其形成方法，所述IGBT器件包括：半导体衬底、基区、栅极结构、发射极和集电极。其中，所述栅极结构包括U型部分和水平部分，所述栅极结构的U型部分贯穿所述基区，所述栅极结构的水平部分覆盖部分所述基区的上表面，并与所述栅极结构的U型部分为一体结构；所述发射极形成于所述栅极结构U型部分两侧的基区内，且与所述栅极结构的U型部分不接触，从而使得本发明所提供的IGBT器件具有制作工艺难度低，饱和导通压降低，抗闩锁能力强，饱和电流小等优点。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 igbt 器件 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
一种IGBT器件，其特征在于，包括：半导体衬底；基区，所述基区形成于所述半导体衬底上表面内，且所述基区的上表面与所述半导体衬底的上表面平齐；栅极结构，所述栅极结构包括U型部分和水平部分，其中，所述栅极结构的U型部分贯穿所述基区，所述栅极结构的水平部分覆盖部分所述基区的上表面，并与所述栅极结构的U型部分为一体结构；发射极，所述发射极形成于所述栅极结构U型部分两侧的基区内，且与所述栅极结构的U型部分不接触；集电极，所述集电极形成于所述半导体衬底下表面内，且所述集电极的下表面与所述半导体衬底的下表面平齐。
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