[发明专利]用于功率MOS晶体管的装置和方法有效
申请号: | 201210468800.7 | 申请日: | 2012-11-19 |
公开(公告)号: | CN103545371A | 公开(公告)日: | 2014-01-29 |
发明(设计)人: | 伍震威;周学良;苏柏智;柳瑞兴 | 申请(专利权)人: | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
主分类号: | H01L29/78 | 分类号: | H01L29/78;H01L29/10;H01L21/336 |
代理公司: | 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 | 代理人: | 章社杲;孙征 |
地址: | 中国台*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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摘要: | 一种MOS晶体管,包括衬底、形成在衬底上方的第一区、从第一区生长的第二区、形成在第二区中的第三区、形成在第三区中的第一漏极/源极区、形成在第一沟槽中的第一栅电极、形成在第二区中并且在第一沟槽的第一漏极/源极区的相对侧上的第二漏极/源极区以及耦合第二漏极/源极区和第二区的第二沟槽,其中第二沟槽具有与第一沟槽相同的深度。本发明还提供了用于功率MOS晶体管的装置和方法。 | ||
搜索关键词: | 用于 功率 mos 晶体管 装置 方法 | ||
【主权项】:
一种半导体器件,包括:衬底,具有第一导电性;第一区,具有第二导电性并形成在所述衬底上方;第二区,具有所述第二导电性并从所述第一区生长;第三区,具有所述第一导电性并形成在所述第二区中;第一漏极/源极区,具有所述第二导电性并形成在所述第三区中;第一沟槽,包括:介电层,形成在所述第一沟槽的底部中;和栅极区,形成在所述第一沟槽的上部中;第二漏极/源极区,具有所述第二导电性,形成在所述第二区中并位于所述第一沟槽与所述第一漏极/源极区相对的一侧;以及第二沟槽,耦合在所述第二漏极/源极区和所述第二区之间,所述第二沟槽具有与所述第一沟槽相同的深度。
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