[发明专利]用于金属氧化物半导体式传感器银电极和电阻的制备方法无效
| 申请号： | 201210456058.8 | 申请日： | 2012-11-14 |
| 公开（公告）号： | CN103805953A | 公开（公告）日： | 2014-05-21 |
| 发明（设计）人： | 张柯;张小秋;姜来新;尹桂林;何丹农 | 申请（专利权）人： | 上海纳米技术及应用国家工程研究中心有限公司 |
| 主分类号： | C23C14/35 | 分类号： | C23C14/35;C23C14/18;C23C14/04 |
| 代理公司： | 上海东方易知识产权事务所 31121 | 代理人： | 唐莉莎 |
| 地址： | 200241 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开一种用于金属氧化物半导体式传感器银电极和电阻的制备方法，该方法使用磁控溅射技术，室温下在清洗干净的Al2O3陶瓷基底上（覆盖上预先加工好的掩模板（图1））沉积Ag电极和电阻，通过调整溅射时间和功率来改变Ag电极和电阻的厚度，最终可得到50～500nm厚的Ag电极和电阻。由于十字交叉电极和迂回电阻可增加其与氧化物薄膜感应材料的接触面积；另外，磁控溅射法具有设备简单、价格便宜、成膜均匀、可用于大面积制膜等优点，该制备方法可在工业化生产中的得到广泛应用。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 金属 氧化物 半导体 传感器 电极 电阻 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种用于金属氧化物半导体式传感器银电极和电阻的制备方法，其特征在于，将清洗干净的三氧化二铝陶瓷片置于磁控溅射腔内，表面覆盖上预先用激光技术加工好的掩膜板，利用磁控溅射镀膜技术在纯氩气气氛下溅射银原子，得到厚度为50～500nm的银电极和电阻；具体步骤如下：（1）三氧化二铝陶瓷片的清洗：依次用丙酮、酒精以及去离子水超声清洗；（2）在三氧化二铝陶瓷片表面覆盖上同等尺寸的，已用激光加工好的刚性掩膜板；（3）溅射银电极和电阻：采用直流溅射银靶，溅射气体为纯氩气。
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