[发明专利]半导体封装结构有效
| 申请号： | 201210444153.6 | 申请日： | 2012-11-08 |
| 公开（公告）号： | CN102945836A | 公开（公告）日： | 2013-02-27 |
| 发明（设计）人： | 林仲珉;陶玉娟 | 申请（专利权）人： | 南通富士通微电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/488 | 分类号： | H01L23/488;H01L23/485 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 骆苏华 |
| 地址： | 226006 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 一种半导体封装结构，包括：芯片，所述芯片表面具有金属互连结构，位于所述芯片表面且暴露出所述金属互连结构的绝缘层；位于所述金属互连结构上的柱状电极，所述柱状电极周围暴露出部分金属互连结构；位于所述柱状电极侧壁表面、顶部表面、柱状电极周围暴露出的金属互连结构表面的扩散阻挡层；位于所述扩散阻挡层表面的焊球，所述焊球至少包裹在所述柱状电极顶部和侧壁的表面。由于所述扩散阻挡层位于所述柱状电极侧壁表面、顶部表面和柱状电极周围的金属互连结构表面，使得柱状电极与所述焊球相隔离，不会形成锡铜界面合金化合物，且所述扩散阻挡层能提高柱状电极和金属互连结构表面的结合力，使得柱状电极不容易从金属互连结构表面脱离。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 封装 结构 | ||
【主权项】：
一种半导体封装结构，其特征在于，包括：芯片，所述芯片表面具有金属互连结构，位于所述芯片表面且暴露出所述金属互连结构的绝缘层；位于所述金属互连结构上的柱状电极，所述柱状电极周围暴露出部分金属互连结构；位于所述柱状电极侧壁表面、顶部表面、柱状电极周围暴露出的金属互连结构表面的扩散阻挡层；位于所述扩散阻挡层表面的焊球，所述焊球至少包裹在所述柱状电极顶部和侧壁的表面。
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