[发明专利]具有增强的铜对铜接合的三维（3D）集成电路及其形成方法

摘要

本发明公开涉及具有增强的铜对铜接合的三维（3D）集成电路及其形成方法。至少在第一器件晶片的Cu表面上形成至少一个金属粘附层。具有另一Cu表面的第二器件晶片被放置在第一器件晶片的Cu表面顶上且在至少一个金属粘附层上面。第一器件晶片和第二器件晶片然后被接合在一起。接合包含在施加或不施加外部施加的压力的情况下在低于400°C的温度下加热器件晶片。在加热期间，两个Cu表面被接合在一起，并且至少一个金属粘附层从两个Cu表面得到氧原子，并且在Cu表面之间形成至少一个金属氧化物接合层。

主权项

一种形成三维（3D）集成电路的方法，所述方法包括：提供包括Cu表面的第一器件晶片；至少在第一器件晶片的Cu表面上形成金属粘附层；在金属粘附层上且在第一器件晶片的Cu表面顶上放置包括另一Cu表面的第二器件晶片；和在低于400°C的温度下将第一器件晶片和第二器件晶片接合在一起，其中，所述金属粘附层从两个Cu表面得到氧原子，并且在第一器件晶片的Cu表面与第二器件晶片的另一Cu表面之间形成金属氧化物接合层。