[发明专利]用三重态管理器的有机半导体激光器有效
| 申请号： | 201210417365.5 | 申请日： | 2012-10-26 |
| 公开（公告）号： | CN103094836B | 公开（公告）日： | 2017-07-21 |
| 发明（设计）人： | S·R·弗里斯特;张一帆 | 申请（专利权）人： | 密执安州立大学董事会 |
| 主分类号： | H01S5/30 | 分类号： | H01S5/30;H01S5/10 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所11038 | 代理人： | 曹瑾 |
| 地址： | 美国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本公开涉及用三重态管理器的有机半导体激光器。本发明提供第一装置。所述装置包括有机半导体激光器。所述有机半导体激光器进一步包括光学共振腔及布置在所述光学共振腔内的有机层。所述有机层包括有机主体化合物；能够荧光发射的有机发光化合物；以及有机掺杂剂化合物。所述有机掺杂剂化合物在此也可以称为“三重态管理器”。所述有机掺杂剂化合物的三重态能量低于或等于所述有机主体化合物的三重态能量。所述有机掺杂剂化合物的所述三重态能量低于或等于所述有机发光化合物的三重态能量。所述有机发光化合物的单重态能量低于或等于所述有机主体化合物的单重态能量。 | ||
| 搜索关键词： | 三重态 管理器 有机半导体 激光器 | ||
【主权项】：
一种光电装置，其进一步包括：有机半导体激光器，所述有机半导体激光器进一步包括：光学共振腔；布置在所述光学共振腔内的有机层，所述有机层包括：有机主体化合物；能够荧光发射的有机发光化合物；以及有机掺杂剂化合物；其中：所述有机掺杂剂化合物的三重态能量低于或等于所述有机主体化合物的三重态能量；所述有机掺杂剂化合物的所述三重态能量低于或等于所述有机发光化合物的三重态能量；所述有机发光化合物的单重态能量低于或等于所述有机主体化合物的单重态能量。
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- 2016-03-23 - 2016-05-18 - H01S5/30
- 一种基于钙钛矿纳米线的表面等离激元激光器，属于激光技术领域。本发明达到的技术目的是：显著降低表面等离激元激光器的激发阈值。本发明一种基于钙钛矿纳米线的表面等离激元激光器，包括基片，位于基片上的金属薄膜层，位于金属薄膜层上的绝缘介质层和位于绝缘介质层上的纳米线；所述的半导体纳米线由钙钛矿材料制备而成。该发明以钙钛矿材料作为增益介质，可以显著降低表面等离激元纳米线激光器的激发阈值，并能使激光器在温度高于室温的情况下仍能正常工作，同时具有发光波长可调谐、动力学过程超快、结构简单、容易加工的优点。
- 半导体激光器及其制造方法-201510725600.9
- 奥田哲朗 - 瑞萨电子株式会社
- 2015-10-30 - 2016-05-11 - H01S5/30
- 本发明涉及半导体激光器及其制造方法。为了改进半导体激光器的特性，块层被设置于具有n型包覆层、有源层和p型包覆层的台面型半导体部分的两侧。该块层具有：形成于台面型半导体部分的侧表面上以及于p型半导体基板之上的p型块层；形成于p型块层之上的高电阻层；以及形成于高电阻层之上的n型块层。高电阻层的电阻大于p型块层的电阻。通过这样在形成块层的p型块层和n型块层之间设置高电阻层，能够控制p型块层的厚度使其不变大，并且能够减小漏电流(空穴流)。此外，能够确保n型包覆层与n型块层之间的距离，并且因此能够防止漏电流(电子流)。
- 一种基于表面等离子体增强的纳米激光器-201610125719.7
- 赵青;林恩;黄小平;王鹏;焦蛟 - 电子科技大学
- 2016-03-04 - 2016-05-04 - H01S5/30
- 该发明公开了一种基于表面等离子体增强的纳米激光器，属于微纳光学以及光电子学领域，特别涉及纳米线激光器。解决方案是在氧化锌纳米线表面先溅射一定厚度的隔离介质，用来做缓冲层，使其均匀包裹在纳米线的表面，再溅射一层金属薄膜层，均匀包裹在绝缘层的表面，以构成由纳米线/绝缘介质/金属薄膜/的环形机构的表面等离子体激光器。具有体积小，结构简单，可靠性高等诸多优点。为提高纳米激光器件的性能提供了全新的技术途径。
- 扩张式激光振荡器波导-201380077216.1
- M·坎斯卡 - 恩耐激光技术有限公司
- 2013-09-16 - 2016-01-20 - H01S5/30
- 一种宽面半导体二极管激光器器件，包括：多模高反射体端面；与所述多模高反射体端面间隔开的局部反射体端面；以及在所述多模高反射体端面与所述局部反射体端面之间延伸和变宽的扩张式电流注入区域，其中，局部反射体端面宽度与高反射体端面宽度之间的比率为n:1，其中n＞1。所述宽面半导体激光器件是一个扩张式激光振荡器波导，相对于常规的直波导配置递送改进的光束亮度和光束参数乘积。
- 专利分类
