[发明专利]包含有机半导体离散畴的半导体膜及其制造方法有效
申请号: | 200610138944.0 | 申请日: | 2006-09-20 |
公开(公告)号: | CN1937275A | 公开(公告)日: | 2007-03-28 |
发明(设计)人: | 戴维·鲁塞尔;托马斯·库格勒;克里斯托弗·约瑟姆;李顺普 | 申请(专利权)人: | 精工爱普生株式会社 |
主分类号: | H01L51/00 | 分类号: | H01L51/00;H01L51/40;H01L51/30;H01L51/05;H01L51/56;H01L51/54;H01L51/50 |
代理公司: | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人: | 王玮 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 根据第一方面,本发明提供了半导体膜的形成方法,包含在衬底表面上提供包含第一有机半导体和第二有机半导体的溶液的第一步骤。然后将所述溶液干燥而形成半导体膜,以使它包含在第二有机半导体基体中的第一有机半导体离散畴,所述的第二有机半导体基体电连接第一有机半导体的邻近畴。第一和第二半导体是相同的导电型。第一有机半导体的畴中电荷载流子迁移率高于第二有机半导体基体中电荷载流子迁移率。在备选的方面中,本发明提供了形成相似半导体膜产物的方法,但是其中第一有机半导体溶液从第二有机半导体分开地沉积,并干燥而形成离散畴。本发明也提供了例如通过上述方法生产的半导体膜,其中第一和第二有机半导体都是噻吩。 | ||
搜索关键词: | 包含 有机半导体 离散 半导体 及其 制造 方法 | ||
【主权项】:
1.一种形成半导体膜的方法,该方法包括如下步骤:(i)在衬底表面上提供包含第一有机半导体和第二有机半导体或者后者的前体的溶液;和(ii)干燥所述溶液而在所述第二有机半导体的基体中形成包含所述第一有机半导体离散畴的半导体膜,所述的第二有机半导体的基体电连接所述第一有机半导体的邻近畴,所述第一和第二半导体是相同的导电型,所述第一有机半导体畴中的电荷载流子迁移率高于所述第二有机半导体基体中的电荷载流子迁移率。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件;专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的;具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射;专门适用于将这些辐射能转换为电能,或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的,如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择
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