[发明专利]半导体存储器件有效
| 申请号： | 201210417145.2 | 申请日： | 2012-10-26 |
| 公开（公告）号： | CN103117089B | 公开（公告）日： | 2017-12-26 |
| 发明（设计）人： | 金珉秀;朴进寿 | 申请（专利权）人： | 爱思开海力士有限公司 |
| 主分类号： | G11C16/08 | 分类号： | G11C16/08;G11C16/02 |
| 代理公司： | 北京弘权知识产权代理事务所(普通合伙)11363 | 代理人： | 周晓雨,郭放 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明提供一种半导体存储器件，包括存储体，被配置为储存数据；缓冲单元，包括多个缓冲器，所述多个缓冲器被设置成沿存储体的X轴延伸以储存从存储体传送的数据；多个数据传输线，被配置为传送储存在多个缓冲器中的数据；以及路径多路复用单元，被配置为响应于地址而选择多个数据传输路径中的一个，并且经由选中的数据传输路径来传送数据。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 存储 器件 | ||
【主权项】：
一种半导体存储器件，包括：存储体，所述存储体被配置为储存数据；缓冲单元，所述缓冲单元包括多个缓冲器，所述多个缓冲器被设置成沿所述存储体的X轴延伸并且经由路径多路复用单元与所述存储体的同一位线对耦接以储存从所述存储体传送的数据；多个数据传输线，所述多个数据传输线被配置为传送储存在所述多个缓冲器中的数据；以及路径多路复用单元，所述路径多路复用单元被配置为响应于地址而选择多个数据传输路径中的一个，并且经由选中的数据传输路径来将储存在所述多个缓冲器中的数据传送至所述同一位线对。
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