[发明专利]提高直拉单晶硅轴向电阻率均匀性的方法及得到的单晶硅有效
| 申请号： | 201210382987.9 | 申请日： | 2012-10-10 |
| 公开（公告）号： | CN102912424A | 公开（公告）日： | 2013-02-06 |
| 发明（设计）人： | 杨德仁;陈鹏;余学功;吴轶超;陈仙子 | 申请（专利权）人： | 浙江大学 |
| 主分类号： | C30B15/00 | 分类号： | C30B15/00;C30B15/04;C30B29/06 |
| 代理公司： | 杭州天勤知识产权代理有限公司 33224 | 代理人： | 胡红娟 |
| 地址： | 310027 浙*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种提高直拉单晶硅轴向电阻率均匀性的方法，包括如下步骤：(1)将多晶硅原料以及固体掺杂剂在氩气气氛下熔融，得到稳定的熔硅；(2)在稳定的熔硅中引入籽晶，晶体生长经缩颈、放肩过程，进入等径生长阶段；(3)在等径生长阶段，通入和所述固体掺杂剂导电类型相反的掺杂气体，直至直拉单晶硅生长完成。本发明提高直拉单晶硅轴向电阻率均匀性的方法中掺杂气体的种类和用量方便控制，可以得到各种所需的杂质浓度分布；直拉硅单晶的利用率得到提高；显著改善了直拉单晶硅的电阻率均匀性。 | ||
| 搜索关键词： | 提高 单晶硅 轴向 电阻率 均匀 方法 得到 | ||
【主权项】：
一种提高直拉单晶硅轴向电阻率均匀性的方法，包括将多晶硅原料以及固体掺杂剂在氩气气氛下熔融，得到稳定的熔硅；在稳定的熔硅中引入籽晶，晶体生长经缩颈、放肩过程，进入等径生长阶段；其特征在于，在等径生长阶段，通入和所述固体掺杂剂导电类型相反的掺杂气体，直至直拉单晶硅生长完成。
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